Тренутно су методе припремеуглавном укључују методу гел-сола, методу уградње, методу премазања четком, методу распршивања плазмом, методу хемијске реакције гаса (ЦВР) и методу хемијског таложења паре (ЦВД).
Метода је врста високотемпературног синтеровања чврсте фазе, која углавном користи мешавину праха Си и Ц праха као праха за уградњу, графитна матрица се поставља у прах за уградњу, а високотемпературно синтеровање се врши у инертном гасу. , and finally theдобија се на површини графитне матрице.
Метода премазања четком:
The process is simple and the cost is low, but the coating prepared by brush coating method is weak in combination with the substrate, the coating uniformity is poor, the coating is thin and the oxidation resistance is low, and other methods are needed to assist то.
Метода плазма распршивања је углавном распршивање растопљених или полуотопљених сировина на површину графитне матрице плазма пиштољем, а затим очвршћавање и везивање да би се формирао премаз.Метода је једноставна за руковање и може припремити релативно густу превлаку од силицијум карбида, али премаз од силицијум карбида припремљен методом је често преслаб и доводи до слабе отпорности на оксидацију, тако да се генерално користи за припрему СиЦ композитног премаза за побољшање квалитет премаза.
Метода гел-сол је углавном за припрему једноликог и провидног раствора сол који покрива површину матрице, сушење у гел и затим синтеровање да би се добио премаз.Ова метода је једноставна за руковање и јефтина, али произведени премаз има неке недостатке као што су ниска отпорност на топлотни удар и лако пуцање, тако да се не може широко користити.
коришћењем Си и СиО2 праха за стварање СиО паре на високој температури, а низ хемијских реакција се дешава на површини супстрата Ц материјала.Тхе
Хемијско таложење паре (ЦВД):
на површини подлоге.Главни процес је низ физичких и хемијских реакција реактантног материјала у гасној фази на површини супстрата, а на крају се СиЦ премаз припрема таложењем на површини супстрата.СиЦ премаз припремљен ЦВД технологијом је уско везан за површину супстрата, што може ефикасно побољшати отпорност на оксидацију и аблативну отпорност материјала супстрата, али време таложења ове методе је дуже, а реакциони гас има одређену токсичност. гасни.