【 Сажети опис 】 У модерним Ц, Н, Б и другим неоксидним високотехнолошким ватросталним сировинама, синтеровани силицијум карбид под атмосферским притиском је опсежан и економичан, и може се рећи да је шмиргл или ватростални песак.Чисти силицијум карбид је безбојни провидни кристал.Дакле, која је структура материјала и карактеристике силицијум карбида?
Структура материјала синтерованог силицијум карбида под атмосферским притиском:
Синтеровани силицијум карбид под атмосферским притиском који се користи у индустрији је светло жута, зелена, плава и црна према врсти и садржају нечистоћа, а чистоћа је различита и транспарентност је различита.Кристална структура силицијум карбида подељена је на плутонијум у облику шест речи или дијаманта и кубни плутонијум-сиц.Плутонијум-сиц формира различите деформације због различитог реда слагања атома угљеника и силицијума у кристалној структури, а пронађено је више од 70 врста деформација.бета-СИЦ се претвара у алфа-СИЦ изнад 2100. Индустријски процес силицијум карбида се рафинише висококвалитетним кварцним песком и петролеј коксом у отпорној пећи.Рафинисани блокови од силицијум карбида се дробе, кисело-базним чишћењем, магнетном сепарацијом, просијавањем или одабиром воде за производњу различитих производа величине честица.
Карактеристике материјала синтерованог силицијум карбида под атмосферским притиском:
Силицијум карбид има добру хемијску стабилност, топлотну проводљивост, коефицијент топлотног ширења, отпорност на хабање, тако да поред употребе абразива, постоји много употреба: На пример, прах силицијум карбида је премазан на унутрашњем зиду турбинског радног кола или блока цилиндра са посебан процес, који може побољшати отпорност на хабање и продужити животни век 1 до 2 пута.Израђен од отпорног на топлоту, мале величине, мале тежине, високе чврстоће од висококвалитетних ватросталних материјала, енергетска ефикасност је веома добра.Силицијум карбид ниског квалитета (укључујући око 85% СиЦ) је одличан деоксидатор за повећање брзине производње челика и лаку контролу хемијског састава ради побољшања квалитета челика.Поред тога, синтеровани силицијум карбид под атмосферским притиском се такође широко користи у производњи електричних делова силицијумских угљеничних шипки.
Силицијум карбид је веома тврд.Морзеова тврдоћа је 9,5, други је тек светски тврди дијамант (10), је полупроводник са одличном топлотном проводљивошћу, може да се одупре оксидацији на високим температурама.Силицијум карбид има најмање 70 кристалних типова.Плутонијум-силицијум карбид је уобичајен изомер који се формира на температурама изнад 2000 и има хексагоналну кристалну структуру (слично вирциту).Синтеровани силицијум карбид под атмосферским притиском
Примена силицијум карбида у индустрији полупроводника
Ланац индустрије полупроводника силицијум карбида углавном укључује прах високе чистоће силицијум карбида, монокристалну подлогу, епитаксијални слој, компоненте напајања, паковање модула и терминалне апликације.
1. Једнокристални супстрат Једнокристални супстрат је полупроводнички носећи материјал, проводни материјал и супстрат за епитаксијални раст.Тренутно, методе раста СиЦ монокристала укључују метод физичког преноса паре (ПВТ метода), метод течне фазе (ЛПЕ метода) и метод хемијског таложења на високим температурама (ХТЦВД метода).Синтеровани силицијум карбид под атмосферским притиском
2. Епитаксијални лист Силицијум карбид епитаксијални лим, лим од силицијум карбида, монокристални филм (епитаксијални слој) са истим смером као и кристал супстрата који има одређене захтеве за подлогу од силицијум карбида.У практичним применама, полупроводнички уређаји са широким појасом се скоро сви производе у епитаксијалном слоју, а сам силицијумски чип се користи само као супстрат, укључујући супстрат ГаН епитаксијалног слоја.
3. Силицијум карбид прах високе чистоће Силицијум карбид прах високе чистоће је сировина за раст монокристала силицијум карбида ПВТ методом, а чистоћа производа директно утиче на квалитет раста и електричне карактеристике монокристала силицијум карбида.
4. Уређај за напајање је широкопојасна снага направљена од материјала силицијум карбида, која има карактеристике високе температуре, високе фреквенције и високе ефикасности.Према радном облику уређаја, СиЦ уређај за напајање углавном укључује диоду за напајање и цев прекидача за напајање.
5. Терминал У полупроводничким апликацијама треће генерације, полупроводници од силицијум карбида имају предност што су комплементарни полупроводницима од галијум нитрида.Због високе ефикасности конверзије, ниских карактеристика грејања, мале тежине и других предности СиЦ уређаја, потражња индустрије на нижој струји наставља да расте, а постоји и тренд замене СиО2 уређаја.
Време поста: 16.10.2023