Карактеристике:
Отпорност керамике са полупроводничким својствима је око 10-5~ 107ω.цм, а полупроводничка својства керамичких материјала могу се добити допирањем или изазивањем дефеката решетке узрокованих стехиометријским одступањем.Керамика која користи овај метод укључује ТиО2,
ЗнО, ЦдС, БаТиО3, Фе2О3, Цр2О3 и СиЦ.Различите карактеристике полупроводничке керамике су да се њихова електрична проводљивост мења са околином, што се може користити за израду различитих типова керамичких осетљивих уређаја.
Као што су осетљиви на топлоту, осетљиви на гас, осетљиви на влажност, осетљиви на притисак, осетљиви на светлост и други сензори.Полупроводнички спинел материјали, као што је Фе3О4, мешају се са непроводним спинелним материјалима, као што је МгАл2О4, у контролисаним чврстим растворима.
МгЦр2О4 и Зр2ТиО4 се могу користити као термистори, који су пажљиво контролисани уређаји отпора који варирају у зависности од температуре.ЗнО се може модификовати додавањем оксида као што су Би, Мн, Цо и Цр.
Већина ових оксида није чврсто растворена у ЗнО, већ се деформише на граници зрна да би се формирао слој баријере, како би се добили ЗнО варистор керамички материјали, и представља врсту материјала са најбољим перформансама у варисторској керамици.
СиЦ допинг (као што је људска чађа, графитни прах) може припремити полупроводничке материјале са високом температурном стабилношћу, који се користе као различити отпорни грејни елементи, односно силицијумске угљеничне шипке у високотемпературним електричним пећима.Контролишите отпорност и попречни пресек СиЦ-а да бисте постигли скоро све што желите
Радни услови (до 1500 ° Ц), повећање његове отпорности и смањење попречног пресека грејног елемента ће повећати произведену топлоту.Силицијум угљенични штап у ваздуху ће се десити реакција оксидације, употреба температуре је генерално ограничена на 1600 ° Ц испод, обичан тип силицијумске угљеничне шипке
Сигурна радна температура је 1350°Ц.У СиЦ, атом Си је замењен атомом Н, јер Н има више електрона, има вишка електрона, а његов енергетски ниво је близу доњег појаса проводљивости и лако га је подићи до проводног појаса, тако да ово енергетско стање се такође назива ниво донатора, ова половина
Проводници су полупроводници типа Н или полупроводници са електронским проводницима.Ако се атом Ал користи у СиЦ да замени атом Си, због недостатка електрона, формирано енергетско стање материјала је близу валентног електронског појаса изнад, лако је прихватити електроне, па се стога назива прихватљивим
Главни енергетски ниво, који оставља празну позицију у валентном појасу који може да води електроне, јер празна позиција делује исто као носилац позитивног наелектрисања, назива се полупроводник П-типа или полупроводник са рупама (Х. Сарман,1989).
Време поста: Сеп-02-2023