Добра стабилна цев за пећ од силицијум карбида отпорна на високе температуре

Кратак опис:

ВеиТаи Енерги Тецхнологи Цо., Лтд. је водећи добављач специјализован за вафле и напредне полупроводничке потрошне материјале.Посвећени смо обезбеђивању висококвалитетних, поузданих и иновативних производа за производњу полупроводника,фотонапонска индустријаи друге сродне области.

Наша линија производа укључује СиЦ/ТаЦ обложене графитне производе и керамичке производе, који обухватају различите материјале као што су силицијум карбид, силицијум нитрид, алуминијум оксид итд.

Као добављач од поверења, разумемо важност потрошног материјала у процесу производње и посвећени смо испоруци производа који испуњавају највише стандарде квалитета како бисмо испунили потребе наших купаца.

Пошаљите нам емаил

Детаљи о производу

Ознаке производа

Силицијум карбид је нова врста керамике са високим перформансама и одличним својствима материјала.Због карактеристика као што су висока чврстоћа и тврдоћа, отпорност на високе температуре, велика топлотна проводљивост и отпорност на хемијску корозију, силицијум карбид може скоро да издржи све хемијске средине.Стога се СиЦ широко користи у рударству нафте, хемикалијама, машинама и ваздушном простору, чак и нуклеарна енергија и војска имају своје посебне захтеве за СИЦ.Неке нормалне примене које можемо да понудимо су заптивни прстенови за пумпу, вентил и заштитни оклоп итд.

У могућности смо да дизајнирамо и производимо према вашим специфичним димензијама уз добар квалитет и разумно време испоруке.

Можемо да обезбедимо стабилан и поузданкристални чамци од силицијум карбида,лопатице од силицијум карбида,цеви за пећи од силицијум карбидаза индустрију полупроводничких плочица од 4 инча до 6 инча.Чистоћа може да достигне 99,9% без загађивања плочице.

Силицијум карбидна цев за пећсе углавном користи за: 4-6 инча силиконске плочице ЛТО = силицијум, СИПОС = окси-полисилицијум, СИ3Н4 = силицијум нитрид, ПСГ = фосфосилицијумско стакло, ПОЛИ = раст полисилицијумског филма.То је сирови материјал гас (или течни извор гасификације) који се активира топлотном енергијом за стварање чврстог филма на површини супстрата.Хемијско таложење паре ниског притиска врши се при ниском притиску, због ниског притиска, просечна слободна путања молекула гаса је велика, тако да је униформност узгојеног филма добра, а супстрат се може поставити вертикално и количина оптерећење је велико, посебно погодно за велика интегрисана кола, дискретне уређаје, енергетску електронику, оптоелектронске уређаје и оптичка влакна и друге индустрије индустријске производње посебне опреме.

Пријаве:

- Поље отпорно на хабање: чаура, плоча, млазница за пескарење, циклонска облога, цев за млевење, итд...

-Поље високе температуре: сиЦ плоча, цев пећи за гашење, цев за зрачење, лончић, грејни елемент, ваљак, греда, измењивач топлоте, цев за хладни ваздух, млазница горионика, заштитна цев термоелемента, СиЦ чамац, структура пећи, сетер итд.

-Војно поље отпорно на метке

-Полупроводник од силицијум карбида: СиЦ чамац за плочице, сиц стезна глава, сиц лопатица, сиц касета, сиц дифузиона цев, виљушка за плочице, усисна плоча, водилица итд.

- Поље заптивке од силицијум карбида: све врсте заптивних прстена, лежајева, чаура итд.

-Фотонапонско поље: конзолна лопатица, цев за млевење, ваљак од силицијум карбида итд.

-Поље литијумске батерије