ГаАс плочице|ГаАс Епи плочице|Супстрати галијум арсенида

ГаАс плочице|ГаАс Епи плочице|Истакнута слика подлоге галијум арсенида

Кратак опис:

ВеиТаи Енерги Тецхнологи Цо., Лтд. је водећи добављач специјализован за вафле и напредне полупроводничке потрошне материјале.Посвећени смо обезбеђивању висококвалитетних, поузданих и иновативних производа за производњу полупроводника, фотонапонску индустрију и друга сродна поља.

Наша линија производа укључује СиЦ/ТаЦ обложене графитне производе и керамичке производе, који обухватају различите материјале као што су силицијум карбид, силицијум нитрид, алуминијум оксид итд.

Тренутно смо једини произвођач који обезбеђује чистоћу од 99,9999% СиЦ премаза и 99,9% рекристализованог силицијум карбида.Максимална дужина СиЦ премаза коју можемо да урадимо је 2640 мм.

Пошаљите нам емаил

Детаљи о производу

Ознаке производа

ГаАс супстрати су подељени на проводне и полуизолационе, које се широко користе у ласеру (ЛД), полупроводничкој светлећој диоди (ЛЕД), блиском инфрацрвеном ласеру, ласеру велике снаге квантног бунара и високоефикасним соларним панелима.ХЕМТ и ХБТ чипови за радарске, микроталасне, милиметарске или ултра-брзине рачунаре и оптичке комуникације;Радио фреквенцијски уређаји за бежичну комуникацију, 4Г, 5Г, сателитска комуникација, ВЛАН.

Недавно су подлоге од галијум-арсенида такође оствариле велики напредак у мини-ЛЕД, микро-ЛЕД и црвеним ЛЕД диодама и широко се користе у АР/ВР носивим уређајима.

Пречник 晶片直径	50мм \|75мм \|100мм \|150мм
Метод раста 生长方式	ЛЕЦ液封直拉法 ВГФ垂直梯度凝固法
Вафер Тхицкнесс 厚度	350 ум ~ 625 ум
Оријентација 晶向	<100> / <111> / <110> или други
Цондуцтиве Типе 导电类型	П – тип / Н – тип / Полуизолациони
Тип/Допант 掺杂剂	Зн / Си / недопиран
Концентрација носача 载流子浓度	1Е17 ~ 5Е19 цм-3
Отпорност на РТ 室温电阻率(ом•цм)	≥1Е7 за СИ
Мобилност 迁移率(цм2/В•сец)	≥4000
ЕПД (Густина удубљења) 腐蚀坑密度	100~1Е5
ТТВ 总厚度变化	≤ 10 ум
Бов / Варп 翘曲度	≤ 20 ум
Завршна обрада 表面	ДСП/ССП
Ласер Марк 激光码
Оцена 等级	Епи полирани квалитет / механички квалитет