Опис
Наша компанија пружаСиЦ премазпроцесне услуге ЦВД методом на површини графита, керамике и других материјала, тако да специјални гасови који садрже угљеник и силицијум реагују на високој температури да би добили молекуле СиЦ високе чистоће, молекуле депоноване на површиниобложенематеријала, формирајући СИЦ заштитни слој.
Карактеристике СиЦ туш глава су следеће:
1. Отпорност на корозију: СиЦ материјал има одличну отпорност на корозију и може издржати ерозију различитих хемијских течности и раствора, и погодан је за различите процесе хемијске обраде и површинске обраде.
2. Стабилност високе температуре:СиЦ млазницемогу одржати структурну стабилност у окружењима са високим температурама и погодни су за апликације које захтевају високотемпературну обраду.
3. Равномерно прскање:СиЦ млазницадизајн има добре перформансе контроле прскања, што може постићи уједначену дистрибуцију течности и осигурати да течност за третман буде равномерно покривена на циљној површини.
4. Висока отпорност на хабање: СиЦ материјал има високу тврдоћу и отпорност на хабање и може издржати дуготрајну употребу и трење.
СиЦ главе за туширање се широко користе у процесима третмана течности у производњи полупроводника, хемијској преради, површинском премазивању, галванизацији и другим индустријским пољима. Може да обезбеди стабилне, уједначене и поуздане ефекте прскања како би се обезбедио квалитет и доследност обраде и третмана.
Главне карактеристике
1. Отпорност на оксидацију високе температуре:
отпорност на оксидацију је и даље веома добра када је температура чак 1600 Ц.
2. Висока чистоћа: направљена хемијским таложењем паре под условима хлорисања на високој температури.
3. Отпорност на ерозију: висока тврдоћа, компактна површина, фине честице.
4. Отпорност на корозију: киселине, алкалије, соли и органски реагенси.
Главне спецификације ЦВД-СИЦ премаза
СиЦ-ЦВД својства | ||
Цристал Струцтуре | ФЦЦ β фаза | |
Густина | г/цм ³ | 3.21 |
Тврдоћа | Викерсова тврдоћа | 2500 |
Величина зрна | μм | 2~10 |
Хемијска чистоћа | % | 99,99995 |
Топлотни капацитет | Ј·кг-1 ·К-1 | 640 |
Температура сублимације | ℃ | 2700 |
Фелекурал Стренгтх | МПа (РТ 4 тачке) | 415 |
Иоунгов модул | Гпа (4пт савијање, 1300℃) | 430 |
термичка експанзија (ЦТЕ) | 10-6К-1 | 4.5 |
Топлотна проводљивост | (В/мК) | 300 |
![Семицера Радно место](http://www.semi-cera.com/uploads/Semicera-Work-place3.jpg)
![Радно место Семицера 2](http://www.semi-cera.com/uploads/Semicera-work-place-23.jpg)
![Опрема машина](http://www.semi-cera.com/uploads/Equipment-machine3.jpg)
![ЦНН обрада, хемијско чишћење, ЦВД премаз](http://www.semi-cera.com/uploads/CNN-processing-chemical-cleaning-CVD-coating3.jpg)
![Семицера Варе Хоусе](http://www.semi-cera.com/uploads/Semicera-Ware-House2.jpg)
![Наша услуга](http://www.semi-cera.com/uploads/Our-service4.jpg)
-
Графитни носачи са премазом од силицијум карбида...
-
41 комад МОЦВД опрема од 4 инча на графитној бази ...
-
ГаН епитаксија на бази силицијума
-
Напредно сечење материјала, микро млазни ласерски процес...
-
Дијелови другог полувремена за доње преграде у Епитакиа...
-
АЛД Атомиц Лаиер Депоситион Планетари Сусцептор