ЦВД расути силицијум карбид (СиЦ)
Преглед:ЦВДсилицијум карбид (СиЦ)је веома тражен материјал у опреми за јеткање плазмом, апликацијама за брзу термичку обраду (РТП) и другим процесима производње полупроводника. Његова изузетна механичка, хемијска и термичка својства чине га идеалним материјалом за апликације напредне технологије које захтевају високу прецизност и издржљивост.
Примене ЦВД Булк СиЦ:Масивни СиЦ је кључан у индустрији полупроводника, посебно у системима за јеткање плазмом, где компоненте као што су фокусни прстенови, гасне главе туша, ивични прстенови и плоче имају користи од СиЦ-ове изванредне отпорности на корозију и топлотне проводљивости. Његова употреба се протеже наРТПсистема због способности СиЦ-а да издржи брзе температурне флуктуације без значајне деградације.
Поред опреме за гравирање, ЦВДбулк СиЦје фаворизован у дифузионим пећима и процесима раста кристала, где је потребна висока термичка стабилност и отпорност на оштре хемијске средине. Ови атрибути чине СиЦ материјалом избора за апликације високе потражње које укључују високе температуре и корозивне гасове, као што су они који садрже хлор и флуор.
Предности ЦВД Булк СиЦ компоненти:
•Висока густина:Са густином од 3,2 г/цм³,ЦВД расути СиЦкомпоненте су веома отпорне на хабање и механичке утицаје.
•Супериорна топлотна проводљивост:Нудећи топлотну проводљивост од 300 В/м·К, велики СиЦ ефикасно управља топлотом, што га чини идеалним за компоненте изложене екстремним термичким циклусима.
•Изузетна хемијска отпорност:Ниска реактивност СиЦ-а са гасовима за нагризање, укључујући хемикалије на бази хлора и флуора, обезбеђује продужен животни век компоненти.
•Подесиви отпор: ЦВД булк СиЦотпорност се може прилагодити у опсегу од 10⁻²–10⁴ Ω-цм, што га чини прилагодљивим специфичним потребама гравирања и производње полупроводника.
•Коефицијент топлотне експанзије:Са коефицијентом термичке експанзије од 4,8 к 10⁻⁶/°Ц (25–1000°Ц), ЦВД расути СиЦ је отпоран на топлотни удар, одржавајући стабилност димензија чак и током брзих циклуса загревања и хлађења.
•Трајност у плазми:Излагање плазми и реактивним гасовима је неизбежно у полупроводничким процесима, алиЦВД расути СиЦнуди врхунску отпорност на корозију и деградацију, смањујући учесталост замене и укупне трошкове одржавања.
Техничке спецификације:
•пречник:Већа од 305 мм
•Отпорност:Подесиво у оквиру 10⁻²–10⁴ Ω-цм
•Густина:3,2 г/цм³
•Топлотна проводљивост:300 В/м·К
•Коефицијент топлотне експанзије:4,8 к 10⁻⁶/°Ц (25–1000°Ц)
Прилагођавање и флексибилност:АтСемицера Семицондуцтор, разумемо да свака апликација за полупроводнике може захтевати различите спецификације. Зато су наше ЦВД компоненте СиЦ у потпуности прилагодљиве, са подесивом отпорношћу и прилагођеним димензијама које одговарају вашим потребама опреме. Без обзира да ли оптимизујете своје системе за плазма гравирање или тражите издржљиве компоненте у РТП или дифузионим процесима, наш ЦВД булк СиЦ пружа перформансе без премца.
