Порозни тантал карбид, материјал врућег поља за раст кристала СиЦ

Кратак опис:

Порозни тантал карбид се углавном користи за филтрацију компоненти гасне фазе, подешавање локалног температурног градијента, смер протока материјала, контролу цурења, итд. Може се користити са другим чврстим тантал карбидом (компактним) или тантал карбидним премазом од Семицера Тецхнологи за формирање локалних компоненти са различитом проводљивошћу протока.

Пошаљите нам емаил

Детаљи о производу

Ознаке производа

Семицера обезбеђује специјализоване премазе од тантал карбида (ТаЦ) за различите компоненте и носаче.Семицера водећи процес премазивања омогућава премазима од тантал карбида (ТаЦ) да постигну високу чистоћу, високу температурну стабилност и високу хемијску толеранцију, побољшавајући квалитет производа СИЦ/ГАН кристала и ЕПИ слојева (ТаЦ пријемник обложен графитом), и продужава животни век кључних компоненти реактора. Употреба ТаЦ премаза од тантал карбида је да реши проблем ивице и побољша квалитет раста кристала, а Семицера је пробој решила технологију премаза тантал карбида (ЦВД), достигавши међународни напредни ниво.

Након година развоја, Семицера је освојила технологијуЦВД ТаЦзаједничким напорима одељења за истраживање и развој. Лако се јављају дефекти у процесу раста СиЦ плочица, али након употребеТаЦ, разлика је значајна. Испод је поређење плочица са и без ТаЦ, као и делова Семицера за раст монокристала

Тац део за монокристал раста

Превлака од тантал карбида против хабања_ Штити опрему од хабања и корозије Истакнута слика

Графит са ТаЦ обложеним прстеном

са и без ТаЦ

Након употребе ТаЦ (десно)

Поред тога, век трајања производа Семицера ТаЦ премаза је дужи и отпорнији на високе температуре од СиЦ премаза. После дужег времена лабораторијских мерења, наш ТаЦ може дуго да ради на максимално 2300 степени Целзијуса. У наставку су неки од наших узорака: