ДЕО/1ЦВД (хемијско таложење паре) метода: На 900-2300℃, коришћењем ТаЦл5 и ЦнХм као извора тантала и угљеника, Х₂ као редукционе атмосфере, Ар₂као гаса носача, реакционог слоја за таложење. Припремљени премаз је компактан, уједначен и високе чистоће. Међутим, постоје неки проблеми...
Прочитајте више