Наша компанија пружаСиЦ премазпроцесне услуге на површини графита, керамике и других материјала ЦВД методом, тако да специјални гасови који садрже угљеник и силицијум могу да реагују на високој температури да би добили Сиц молекуле високе чистоће, који се могу депоновати на површини обложених материјала и формиратиСиЦ заштитни слојза епитаксију буре типа хи пнотиц.
Главне карактеристике:
1 .СиЦ обложен графит високе чистоће
2. Врхунска отпорност на топлоту и термичка униформност
3. ФиноСиЦ кристално обложенза глатку површину
4. Висока издржљивост против хемијског чишћења
Главне спецификацијеЦВД-СИЦ премаз
| СиЦ-ЦВД својства | ||
| Цристал Струцтуре | ФЦЦ β фаза | |
| Густина | г/цм ³ | 3.21 |
| Тврдоћа | Викерсова тврдоћа | 2500 |
| Величина зрна | μм | 2~10 |
| Хемијска чистоћа | % | 99,99995 |
| Хеат Цапацити | Ј·кг-1 ·К-1 | 640 |
| Температура сублимације | ℃ | 2700 |
| Фелекурал Стренгтх | МПа (РТ 4 тачке) | 415 |
| Иоунгов модул | Гпа (4пт савијање, 1300℃) | 430 |
| термичка експанзија (ЦТЕ) | 10-6К-1 | 4.5 |
| Топлотна проводљивост | (В/мК) | 300 |
-
Постоље за плочице од силицијум карбида
-
Високотемпературни Епитаксијални реактор обложен СиЦ-ом Б...
-
Графитни носач са премазом од силицијум карбида...
-
Полупроводнички чамац од силицијум карбида
-
36 комада МОЦВД опреме од 4 инча графитне основе...
-
Епитаксијални дискови од силицијум карбида за ВЕЕЦО...