Увод у превлаку од силицијум карбида
Наш премаз од силицијум карбида (СиЦ) за хемијско таложење паре (ЦВД) је веома издржљив слој отпоран на хабање, идеалан за окружења која захтевају високу отпорност на корозију и топлоту.Превлака од силицијум карбидананоси се у танким слојевима на различите подлоге кроз ЦВД процес, нудећи супериорне карактеристике перформанси.
Кључне карактеристике
● -Изузетна чистоћа: Са ултра чистом композицијом99,99995%, нашСиЦ премазминимизира ризик од контаминације у осетљивим полупроводничким операцијама.
● -Супериорна отпорност: Показује одличну отпорност и на хабање и на корозију, што га чини савршеним за изазовна подешавања хемикалија и плазме.
● -Висока топлотна проводљивост: Обезбеђује поуздане перформансе при екстремним температурама због својих изванредних термичких својстава.
● -Димензиона стабилност: Одржава структурални интегритет у широком распону температура, захваљујући ниском коефицијенту топлотног ширења.
● -Побољшана тврдоћа: Са оценом тврдоће од40 ГПа, наш СиЦ премаз издржава значајан удар и абразију.
● -Смоотх Сурфаце Финисх: Обезбеђује завршну обраду попут огледала, смањујући стварање честица и побољшавајући оперативну ефикасност.
Апликације
Семицера СиЦ премазисе користе у различитим фазама производње полупроводника, укључујући:
● -Производња ЛЕД чипова
● -Производња полисилицијума
● -Раст кристала полупроводника
● -Силицијум и СиЦ Епитаксија
● -Термичка оксидација и дифузија (ТО&Д)
Снабдевамо компоненте обложене СиЦ-ом направљене од изостатичког графита високе чврстоће, угљеника ојачаног угљеничним влакнима и 4Н рекристализованог силицијум карбида, скројеног за реакторе са флуидизованим слојем,СТЦ-ТЦС претварачи, ЦЗ јединични рефлектори, СиЦ вафер брод, СиЦвафер лопатица, СиЦ вафер цијев и носачи плочица који се користе у ПЕЦВД, силицијумској епитаксији, МОЦВД процесима.
Предности
● -Продужени животни век: Значајно смањује време застоја опреме и трошкове одржавања, побољшавајући укупну ефикасност производње.
● -Побољшан квалитет: Постиже површине високе чистоће неопходне за обраду полупроводника, чиме се повећава квалитет производа.
● -Повећана ефикасност: Оптимизује термичке и ЦВД процесе, што резултира краћим временима циклуса и већим приносима.
Техничке спецификације
● -Структура: ФЦЦ β фаза поликристална, углавном (111) оријентисана
● -Густина: 3,21 г/цм³
● -Тврдоћа: 2500 Вицкес тврдоћа (500г оптерећење)
● - Чврстоћа на лом: 3,0 МПа·м1/2
● -Коефицијент термичке експанзије (100–600 °Ц): 4,3 к 10-6k-1
● -Модул еластичности(1300℃):435 ГПа
● -Типична дебљина филма:100 µм
● -Храпавост површине:2-10 µм
Подаци о чистоћи (мерено масеном спектроскопијом усијаног пражњења)
| Елемент | ппм | Елемент | ппм |
| Li | < 0,001 | Cu | < 0,01 |
| Be | < 0,001 | Zn | < 0,05 |
| Ал | < 0,04 | Ga | < 0,01 |
| P | < 0,01 | Ge | < 0,05 |
| S | < 0,04 | As | < 0,005 |
| K | < 0,05 | In | < 0,01 |
| Ca | < 0,05 | Sn | < 0,01 |
| Ti | < 0,005 | Sb | < 0,01 |
| V | < 0,001 | W | < 0,05 |
| Cr | < 0,05 | Te | < 0,01 |
| Mn | < 0,005 | Pb | < 0,01 |
| Fe | < 0,05 | Bi | < 0,05 |
| Ni | < 0,01 |
|
